සූර්ය පැනල මූලධර්මය පිළිබඳ නිදර්ශනය
සූර්ය පැනල මූලධර්මය පිළිබඳ නිදර්ශනය
සූර්ය බලශක්තිය මානව වර්ගයා සඳහා හොඳම බලශක්ති ප්‍රභවය වන අතර, එහි නොබිඳිය හැකි සහ පුනර්ජනනීය ලක්ෂණ අනුව එය මානව වර්ගයා සඳහා ලාභම සහ ප්‍රායෝගික බලශක්ති ප්‍රභවය බවට පත් වනු ඇත. සූර්ය පැනල යනු පරිසර දූෂණයෙන් තොර පිරිසිදු බලශක්තියකි. Dayang Optoelectronics මෑත වසරවලදී ශීඝ්‍රයෙන් දියුණු වී ඇති අතර එය වඩාත් ගතික පර්යේෂණ ක්ෂේත්‍රය වන අතර එය ඉතාමත් ඉහළ මට්ටමේ ව්‍යාපෘතිවලින් එකකි.
සූර්ය පැනල සෑදීමේ ක්‍රමය ප්‍රධාන වශයෙන් අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය මත පදනම් වන අතර එහි ක්‍රියාකාරී මූලධර්මය වන්නේ ප්‍රකාශ විද්‍යුත් පරිවර්තන ප්‍රතික්‍රියාවෙන් පසු ආලෝක ශක්තිය අවශෝෂණය කිරීම සඳහා ප්‍රකාශ විද්‍යුත් ද්‍රව්‍ය භාවිතා කිරීමයි, භාවිතා කරන විවිධ ද්‍රව්‍ය අනුව, සිලිකන් මත පදනම් වූ සූර්ය කෝෂ සහ තුනී -ෆිල්ම් සූර්ය කෝෂ, අද ප්‍රධාන වශයෙන් සිලිකන් මත පදනම් වූ සූර්ය පැනල ගැන ඔබ සමඟ කතා කිරීමට.
පළමුව, සිලිකන් සූර්ය පැනල
සිලිකන් සූර්ය කෝෂ ක්‍රියාකාරී මූලධර්මය සහ ව්‍යුහ රූප සටහන සූර්ය කෝෂ බල උත්පාදනයේ මූලධර්මය ප්‍රධාන වශයෙන් අර්ධ සන්නායකවල ප්‍රකාශ විද්‍යුත් බලපෑම වන අතර අර්ධ සන්නායකවල ප්‍රධාන ව්‍යුහය පහත පරිදි වේ:
ධන ආරෝපණයක් සිලිකන් පරමාණුවක් නියෝජනය කරන අතර සෘණ ආරෝපණයක් සිලිකන් පරමාණුවක් වටා කක්ෂගත වන ඉලෙක්ට්රෝන හතරක් නියෝජනය කරයි. සිලිකන් ස්ඵටිකය බෝරෝන්, පොස්පරස් වැනි අනෙකුත් අපද්‍රව්‍ය සමඟ මිශ්‍ර කළ විට, බෝරෝන් එකතු කළ විට, සිලිකන් ස්ඵටිකයේ සිදුරක් ඇති අතර, එය සෑදීම පහත රූපයට යොමු කළ හැකිය:
ධන ආරෝපණයක් සිලිකන් පරමාණුවක් නියෝජනය කරන අතර සෘණ ආරෝපණයක් සිලිකන් පරමාණුවක් වටා කක්ෂගත වන ඉලෙක්ට්රෝන හතරක් නියෝජනය කරයි. කහ පැහැයෙන් දැක්වෙන්නේ බෝරෝන් පරමාණුව වටා ඉලෙක්ට්රෝන 3ක් පමණක් ඇති නිසා එය රූපයේ දැක්වෙන නිල් කුහරය නිපදවන අතර ඉලෙක්ට්රෝන නොමැති නිසා ඉතා අස්ථායී වන අතර ඉලෙක්ට්රෝන අවශෝෂණය කර උදාසීන කිරීම පහසුය. , P (ධනාත්මක) ආකාරයේ අර්ධ සන්නායකයක් සෑදීම. ඒ හා සමානව, පොස්පරස් පරමාණු ඇතුළත් කළ විට, පොස්පරස් පරමාණුවල ඉලෙක්ට්රෝන පහක් ඇති බැවින්, එක් ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් ඉතා ක්‍රියාකාරී වී N(ඍණ) වර්ගයේ අර්ධ සන්නායක සාදයි. කහ ඒවා පොස්පරස් න්යෂ්ටි වන අතර රතු ඒවා අතිරික්ත ඉලෙක්ට්රෝන වේ. පහත රූපයේ දැක්වෙන පරිදි.
P-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකවල වැඩි සිදුරු අඩංගු වන අතර N-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකවල වැඩි ඉලෙක්ට්රෝන අඩංගු වන අතර, P-type සහ N-type අර්ධ සන්නායක එකතු වූ විට, PN හන්දිය වන ස්පර්ශක පෘෂ්ඨයේ විද්‍යුත් විභව වෙනසක් ඇතිවේ.
P-type සහ N-type semiconductors එකට එකතු වූ විට, අර්ධ සන්නායක දෙකේ අතුරු මුහුණත් කලාපයේ විශේෂ තුනී ස්ථරයක් සෑදී ඇත), සහ අතුරු මුහුණතේ P-type පැත්ත සෘණ ආරෝපණය වන අතර N-වර්ගයේ පැත්ත ධන ආරෝපණය වේ. මෙයට හේතුව P-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකවල බහු සිදුරු තිබීම සහ N-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායක බොහෝ නිදහස් ඉලෙක්ට්රෝන තිබීම සහ සාන්ද්‍රණ වෙනසක් තිබීමයි. N කලාපයේ ඉලෙක්ට්රෝන P කලාපය තුලට විසරණය වන අතර P කලාපයේ සිදුරු N කලාපය තුලට විසරණය වන අතර N සිට P දක්වා යොමු කරන ලද "අභ්‍යන්තර විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රයක්" සාදයි, එමගින් විසරණය ඉදිරියට යාම වළක්වයි. සමතුලිතතාවයට පැමිණීමෙන් පසු, එවැනි විශේෂ තුනී ස්ථරයක් සෑදී විභව වෙනසක් ඇති කරයි, එය PN හන්දිය වේ.
වේෆරය ආලෝකයට නිරාවරණය වූ විට, PN හන්දියේ N-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකයේ සිදුරු P-type කලාපයට ගමන් කරයි, සහ P-type කලාපයේ ඉලෙක්ට්රෝන N-type කලාපයට ගමන් කරයි, එහි ප්රතිඵලයක් ලෙස ධාරාවක් ඇතිවේ. N-type කලාපය P-type කලාපයට. එවිට PN හන්දියේ විභව වෙනසක් ඇති වන අතර එය බල සැපයුම සාදයි.